Transistor de Potência 2N6667
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O transistor 2N6667 é um dispositivo eletrônico de três camadas, também conhecido como transistor de junção bipolar (BJT). Ele é projetado para amplificar ou comutar sinais elétricos e é amplamente utilizado em circuitos eletrônicos.
O 2N6667 é um transistor NPN, o que significa que possui uma camada de material semicondutor tipo N entre duas camadas de material semicondutor tipo P. Essas camadas são chamadas de emissor, base e coletor, respectivamente.
O emissor é dopado com impurezas para criar uma grande quantidade de portadores de carga negativos (elétrons), enquanto o coletor é dopado com impurezas para criar uma grande quantidade de portadores de carga positivos (lacunas). A base é fina e levemente dopada para controlar o fluxo de portadores de carga entre o emissor e o coletor.
Quando uma corrente é aplicada ao emissor, os elétrons são injetados na base. A quantidade de elétrons que passa pela base é controlada pela corrente de base. Se a corrente de base for pequena, apenas uma pequena quantidade de elétrons passará para o coletor. No entanto, se a corrente de base for grande, uma grande quantidade de elétrons passará para o coletor.
Essa capacidade de controlar o fluxo de elétrons entre o emissor e o coletor torna o transistor 2N6667 útil em amplificadores de sinal. Quando um sinal de entrada é aplicado à base, a corrente de base varia de acordo com o sinal. Essa variação na corrente de base causa uma variação correspondente na corrente de coletor, amplificando assim o sinal de entrada.
Além disso, o transistor 2N6667 também pode ser usado como um interruptor. Quando uma corrente é aplicada à base, o transistor entra em um estado de saturação, permitindo que uma corrente maior flua do coletor para o emissor. Quando nenhuma corrente é aplicada à base, o transistor entra em um estado de corte, interrompendo o fluxo de corrente do coletor para o emissor.
O transistor 2N6667 possui uma capacidade de corrente de coletor de até 1A e uma tensão de coletor-emissor máxima de 40V. Ele é encapsulado em um invólucro TO-92, que é amplamente utilizado na indústria eletrônica.
Em resumo, o transistor 2N6667 é um dispositivo eletrônico versátil que pode ser usado para amplificar sinais elétricos ou como um interruptor em circuitos eletrônicos. Sua capacidade de controlar o fluxo de elétrons o torna um componente essencial em muitos dispositivos eletrônicos.
O transistor 2N6667 é um dispositivo de potência NPN projetado para aplicações de comutação e amplificação de alta corrente. Ele pode ser usado em circuitos de fonte de alimentação, amplificadores de áudio, circuitos de controle de motor, entre outros.Algumas especificações do transistor 2N6667 incluem:- Tensão máxima de coletor-emissor (Vce): 400V - Corrente máxima de coletor (Ic): 10A - Ganho de corrente (hFE): 20 a 60 - Potência máxima dissipada (Pd): 100WÉ importante observar que as especificações podem variar dependendo do fabricante e do modelo específico do transistor 2N6667. É recomendável consultar o datasheet do componente para obter informações mais precisas.
Modelo: 2N6667
Tag: Eletrônica, transistor, 2n6667, amplificador, circuito, potência, npn, silício, corrente, tensão, coletor, emissor, base, ganho, frequência, temperatura, encapsulamento, datasheet
ID: New-3068
Marca: Newpeças
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