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Transístor STR11006 - Transístor de Potência de Alta Performance
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Receba, terça-feira, 4 de junho de 2024
O transistor STR11006 é um dispositivo eletrônico de três camadas, também conhecido como transistor de junção bipolar (BJT). Ele é projetado para amplificar ou comutar sinais elétricos e é amplamente utilizado em circuitos eletrônicos.
O STR11006 é um transistor NPN, o que significa que possui uma camada de material semicondutor tipo P entre duas camadas de material semicondutor tipo N. Essas camadas são chamadas de emissor, base e coletor, respectivamente.
O emissor é dopado com impurezas para criar uma grande quantidade de portadores de carga negativos (elétrons), enquanto o coletor é dopado com impurezas para criar uma grande quantidade de portadores de carga positivos (lacunas). A base é fina e levemente dopada para controlar o fluxo de elétrons entre o emissor e o coletor.
Quando uma corrente é aplicada ao emissor, os elétrons começam a fluir em direção à base. No entanto, apenas uma pequena fração desses elétrons consegue atravessar a base e chegar ao coletor. Isso ocorre porque a base é fina e a maioria dos elétrons é recombinada com as lacunas presentes na base.
A quantidade de elétrons que consegue atravessar a base é controlada pela corrente de base. Quanto maior a corrente de base, maior será a corrente de coletor. Isso permite que o transistor amplifique um sinal elétrico de entrada.
Além disso, o STR11006 possui uma tensão de ruptura de coletor-emissor de até 60V e uma corrente de coletor contínua de até 1A. Essas especificações tornam o transistor adequado para aplicações de baixa potência, como amplificadores de áudio, fontes de alimentação reguladas, circuitos de controle e muito mais.
Em resumo, o transistor STR11006 é um dispositivo eletrônico versátil e confiável que pode amplificar ou comutar sinais elétricos. Sua capacidade de operar em baixa potência o torna adequado para uma ampla gama de aplicações.
O Transistor STR11006 é um dispositivo eletrônico de potência que pode ser utilizado em diversas aplicações, como em circuitos de amplificação, controle de motores, fontes de alimentação, entre outros.
Especificações técnicas:
- Tipo de transistor: NPN
- Tensão máxima de coletor-emissor (Vce): 600V
- Corrente máxima de coletor (Ic): 5A
- Potência máxima dissipada (Pd): 40W
- Ganho de corrente (hFE): 40 a 400
- Frequência máxima de operação (fT): 4MHz
- Encapsulamento: TO-220
O Transistor STR11006 é um componente de alta confiabilidade e durabilidade, projetado para suportar altas tensões e correntes, além de operar em altas frequências. Ele é amplamente utilizado em projetos de eletrônica industrial e automotiva, bem como em equipamentos de áudio e vídeo de alta potência.
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ID: New-2077
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