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Transistor BU808 DFX ST - Transistor de Potência BU808 DFX ST
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Receba, sexta-feira, 7 de junho de 2024
O transistor BU808DFX ST é um dispositivo de potência bipolar de junção (BJT) projetado para aplicações de alta tensão e alta corrente. Ele é fabricado com tecnologia de silício e possui uma estrutura de três camadas: emissor, base e coletor.
O transistor BU808DFX ST é capaz de suportar uma tensão de coletor-emissor de até 700 volts e uma corrente de coletor contínua de até 12 amperes. Ele possui uma potência máxima de dissipação de 125 watts e uma frequência de transição de 4 MHz.
Este transistor é encapsulado em um invólucro TO-3P, que oferece uma excelente dissipação de calor e proteção contra danos mecânicos. Ele também possui uma montagem de isolamento elétrico entre o invólucro e o dispositivo, garantindo uma operação segura e confiável.
O transistor BU808DFX ST é amplamente utilizado em aplicações de comutação de alta potência, como fontes de alimentação, inversores, amplificadores de áudio e sistemas de controle de motor. Sua alta tensão e capacidade de corrente o tornam adequado para lidar com cargas pesadas e fornecer um desempenho estável e confiável.
Em resumo, o transistor BU808DFX ST é um dispositivo de potência bipolar de junção projetado para aplicações de alta tensão e alta corrente. Ele oferece uma excelente dissipação de calor, proteção contra danos mecânicos e uma operação segura e confiável. É amplamente utilizado em aplicações de comutação de alta potência.
O transistor BU808 DFX ST é um dispositivo de potência bipolar NPN projetado para aplicações de chaveamento e amplificação de alta tensão e corrente. Ele possui as seguintes especificações técnicas:
- Tensão máxima de coletor-emissor (VCEO): 700V
- Tensão máxima de coletor-base (VCBO): 800V
- Tensão máxima de emissor-base (VEBO): 9V
- Corrente máxima de coletor contínua (IC): 12A
- Ganho de corrente (hFE): mínimo 15, típico 40
- Potência máxima dissipada (Ptot): 125W
- Temperatura máxima de junção (Tj): 150°C
O transistor BU808 DFX ST é encapsulado em um invólucro TO-3P, que permite uma boa dissipação de calor e fácil montagem em dissipadores de calor. Ele é adequado para aplicações em fontes de alimentação, inversores, conversores DC-DC, motores, solenoides e outros dispositivos de alta potência.
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