Transistor de alta frecuencia BF199
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O transistor BF199 é um dispositivo eletrônico de três camadas, também conhecido como transistor de junção bipolar (BJT). Ele é projetado para amplificação de sinais de baixa potência em aplicações de rádio frequência (RF) e frequência intermediária (FI).
O BF199 é um transistor de silício NPN, o que significa que possui uma camada de material tipo P entre duas camadas de material tipo N. Essas camadas são chamadas de emissor, base e coletor, respectivamente. A corrente flui do emissor para o coletor quando uma pequena corrente é aplicada à base.
O BF199 possui uma tensão máxima de coletor-emissor (VCEO) de 25V e uma corrente máxima de coletor (IC) de 25mA. Ele também possui uma potência máxima de dissipação (Pd) de 300mW. Essas especificações indicam a quantidade máxima de tensão, corrente e potência que o transistor pode suportar sem danos.
O BF199 é amplamente utilizado em aplicações de RF e FI devido às suas características de baixo ruído e alta frequência de transição. Ele é comumente usado em circuitos de amplificação de áudio, osciladores de RF, misturadores de frequência e amplificadores de sinal de baixa potência.
Além disso, o BF199 possui uma alta taxa de ganho de corrente (hFE) e uma baixa capacitância de junção, o que o torna adequado para aplicações de alta frequência. Ele também é projetado para operar em temperaturas de até 150°C, o que o torna adequado para aplicações industriais e automotivas.
Em resumo, o transistor BF199 é um dispositivo eletrônico de três camadas usado para amplificação de sinais de baixa potência em aplicações de RF e FI. Ele possui características de baixo ruído, alta frequência de transição e alta taxa de ganho de corrente, tornando-o adequado para uma variedade de aplicações eletrônicas.
O transistor BF199 é um transistor de junção bipolar de baixa potência e alta frequência. Ele é usado principalmente em aplicações de amplificação de sinais de rádiofrequência (RF) em circuitos de rádio, TV, comunicações sem fio e outros dispositivos eletrônicos de alta frequência.Algumas das especificações do transistor BF199 incluem:- Tensão máxima de coletor-emissor (Vce): 20V - Corrente máxima de coletor (Ic): 20mA - Ganho de corrente (hfe): 100 a 450 - Frequência de transição de alta frequência (ft): 250MHzO transistor BF199 é um componente comum em circuitos de amplificação de RF de baixa potência, como amplificadores de antena, osciladores de RF, misturadores de frequência e amplificadores de baixo ruído. Ele também pode ser usado em circuitos de detecção de sinais de RF e em circuitos de controle de ganho de RF.Devido à sua alta frequência de transição e baixo ruído, o transistor BF199 é uma escolha popular para aplicações de RF em dispositivos portáteis, como telefones celulares, dispositivos de comunicação sem fio e sistemas de navegação por satélite.
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ID: New-959
Marca: Newpeças
Garantia: 12 meses
Estoque: Pronta Entrega